芯研所消息,在近日的Hotchips 33大会上,三星展示了DDR5内存标准产品。提供了更高的频率和容量。

    据悉,三星将DDR5模块设计为 8层 堆叠 TSV(直通硅通孔)芯片。在之前的DDR4中,三星使用了 4 层堆叠 TSV 裸片,实际上比最新的8层还更厚。为了实现新的薄设计,三星使用了薄晶圆处理技术,从而使堆叠芯片之间的缝隙减少了 40%。与旧款 4层模块的 1.2 毫米相比,新的 8H DDR5 模块仅厚 1.0 毫米。

    在性能方面,三星制造的 RDIMM/LRDIMM 模块频率可以达到7200MB/s频率,容量可达512GB。当然,这仅限于服务器/企业市场的DDR5内存。普通消费者/PC 用户拥有高达 64 GB 容量的UDIMM。

    根据三星的展示,7200MB/s频率速度是在1.1 V电压下下实现的,这意味着三星的实施非常高效。根据该公司的一些估计,主流市场的DDR内存预计在2023/2024年之前不会出现,这意味着内存制造商还有很多时间来完善他们的DDR5产品。

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   芯研所消息,在近日的Hotchips 33大会上,三星展示了DDR5内存标准产品。提供了更高的频率和容量。    据悉,三星将DDR5模块设计为 8层 堆叠 TSV(直通硅通孔)芯片。在之前的DDR4中,三星使用了 4 层堆叠 TSV 裸片,实际上比最新的8层还更厚。为…

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