在HotChips 33大会上,三星确认正在开发具有8层TSV的DDR5内存模块,是DDR4内存容量的两倍。这意味着理论上,512GB内存模块是可能实现的。

通过优化封装,三星的DDR5内存模块高度将低于DDR4 4层内存。由于管芯之间的间隙更小(减少 40%)以及通过实施薄晶圆处理技术,高度的降低成为可能。重要的是,8 层 TSV 模块将提供更好的散热。

三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的性能,提供高达 7.2 Gbps 的带宽,以及高达 512GB 的双倍容量。同时,新模块将具有更低的 1.1V 电压,提高电源效率。

三星表示,预计到 2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存,数据中心市场的产品将更快推出,计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。

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在HotChips 33大会上,三星确认正在开发具有8层TSV的DDR5内存模块,是DDR4内存容量的两倍。这意味着理论上,512GB内存模块是可能实现的。通过优化封装,三星的DDR5内存模块高度将低于DDR4 4层内存。由于管芯之间的间隙更小(减少 40%)以及通过实施薄晶圆处理技术,高度…

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